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SK하이닉스-도시바, 나노 임프린트 리소그래피 기술 공동 개발

SK하이닉스-도시바, 나노 임프린트 리소그래피 기술 공동 개발

등록 2015.02.05 17:03

정백현

  기자

상호 협력 관계에 있는 SK하이닉스와 일본 도시바가 나노 임프린트 리소그래피(이하 NIL) 기술을 공동으로 개발한다.

SK하이닉스는 5일 도시바와 NIL 기술에 대한 공동 개발 본 계약을 체결했다고 밝혔다. 이미 두 기업은 지난해 12월 기술 공동 개발 건에 대해 협력하기로 양해각서(MOU)를 체결한 바 있으며 이번 본 계약 체결을 통해 실제 개발에 착수하게 된다.

NIL 기술에 대한 공동 개발은 올해 4월부터 양사 엔지니어들의 협업으로 일본 요코하마의 도시바 팹에서 진행되며 오는 2017년께 실제 제품에 채용될 예정이다.

NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되는 상황에서 미세 패턴을 구현하는데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정기술로 평가 받다.

특히 막대한 투자가 선행돼야 하는 기존 공정과 비교해 경제적 양산이 가능하다는 장점도 있다. 업계는 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 EUV(Extreme Ultraviolet) 활용 등 다양한 노력을 해왔으며 NIL 기술도 한계 극복을 위한 방안 중 하나로 개발돼 왔다.

이번 협력을 통해 두 기업은 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술을 확보할 수 있게 돼 두 기업이 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 전망이다.

한편 SK하이닉스와 도시바는 2007년 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며 2011년부터는 차세대 메모리인 ‘STT-M램’의 공동개발을 진행해 오고 있다.

정백현 기자 andrew.j@
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